刘洪刚，男，1974年生，博士，研究员。2003年7月于中科院微电子学研究所获博士学位，博士论文主要研究GaAs HBT微波器件与高速光通信集成电路。
人物经历
2003年9月，刘洪刚赴加拿大Simon Fraser大学从事毫米波器件与电路方面的研究，研发成功的毫米波InP/GaAsSb DHBT技术，目前已经应用于安捷伦科技公司（Agilent）公司的高频测量仪器中；
2006年2月加入苏黎世联邦理工学院（ETH 苏黎世）从事太赫兹电子器件方面的研究，实现了0.6 THz太赫兹晶体管；2008年6月在多伦多大学负责高效低成本晶体硅太阳电池的研发工作；
2009年9月受聘为中科院微电子学研究所研究员、博士生导师，
2010年获中科院“百人计划”择优支持。
主要成就
研究方向
高迁移率CMOS器件；射频/微波集成电路；绿色光电子器件；上海先进半导体制造股份有限公司器件。
代表论著
1) S. K. Wang, H.G. Liu, and A. Toriumi, “Kinetic Study of GeO Disproportionation into GeO2/Ge System Using X-ray Photoelectron Spectroscopy
2) S. K. Wang, B. Q. Xue, H. L. Liang, Z. X. Mei, Y. Li, W. Zhao, B. Sun, X. L. Du, H. G. Liu, “Growth of Epitaxial 铍 Oxide on Ge (111) by Molecular Beam Epitaxy”
3) H.G. Liu, H. D. Chang, B. Sun, “Extrinsic Base Surface Passivation in Terahertz GaAsSb/InP DHBTs Using InGaAsP Ledge Structures”
4) H.G. Liu, O. Ostinelli, Y.P. Zeng and 铬 Bolognesi, “Emitter Size Effect and Ultimate Scalability in InP:GaInP/GaAsSb/InP DHBTs”
5) H.G. Liu, Y.P. Zeng, O. Ostinelli and C.R. Bolognesi, “600 GHz InP/GaAsSb/InP DHBTs Grown by MOCVD with a Ga(As,Sb) Graded-Base and fT × BVCEO > 2.5 THz-V at Room 温度”, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
6) H.G. Liu, O. Ostinelli, Y.P. Zeng and 铬 Bolognesi, “High-Current-Gain InP/GaInP/GaAsSb/InP DHBTs with fT = 436 GHz”, IEEE Electron Device Letters
7) H.G. Liu, O. Ostinelli, Y.P. Zeng and C.R. Bolognesi, “High Gain 砷Rich n-p-n InP/GaAsSb DHBTs with fT > 420 GHz”, IEEE Transactions on Electron Devices
8) H.G. Liu, S.P. Watkins and 铬 Bolognesi, “Type-II InP/GaAsSb DHBTs with 15 nm Base and 384 GHz fT and 6-V BVCEO”, IEEE Transactions on Electron Devices
9) C.R. Bolognesi, H.G. Liu, N. Tao, X. Zhang, S. Bagheri-Najimi and S.P. Watkins, "Neutral base recombination in InP/GaAsSb/InP double-heterostructure bipolar transistors: Suppression of Auger recombination in p+ GaAsSb base layers," Applied Physics Letters
10) Nick G.M. Tao, H.G. Liu, 铬 Bolognesi, "surface Recombination Currents in "Type-II" NpN InP-GaAsSb-InP Self-Aligned DHBTs"
11) H.G. Liu, N. Tao, S.P. Watkins, C.R. Bolognesi, "Extraction of the average collector velocity in high-speed “Type-II” InP-GaAsSb-InP DHBTs"
12) H.G. Liu, J.Q. Wu, N. Tao, A.V. Firth, T.W. MacElwee, 铬 Bolognesi, "High-performance InP/GaAsSb/InP DHBTs grown by MOCVD on 100 mm InP substrates using 磷化氢 and AsH3"
科研项目
百人计划项目
国家973项目课题“超高频化合物基CMOS器件和电路研究”
国家973项目课题“超低功耗高性能集成电路器件与工艺基础研究”
国家02科技重大专项课题“高迁移率CMOS新结构器件与工艺集成研究”
高迁移率CMOS新结构器件与工艺集成研究, 主持, 国家级, 2011-01--2016-12
半导体二维原子材料的器件构建、集成与性能研究, 主持, 国家级, 2017-01--2021-12
毫米波雷达关键芯片与演示系统, 参与, 国家级, 2017-01--2021-12
专利成果
（ 1 ） 高迁移率III-V族半导体MOS界面结构, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010118896.5
（ 2 ） 一种高迁移率CMOS集成单元, 发明, 2010, 第 2 作者, 专利号: 201010578514.7
（ 3 ） 一种高迁移率衬底结构及其制备方法, 发明, 2011, 第 2 作者, 专利号: 201010578522.1
（ 4 ） 一种硅基张应变衬底结构及其制备方法, 发明, 2011, 第 2 作者, 专利号: 201110124329.5
（ 5 ） 一种硅基III-V族半导体材料的集成方法, 发明, 2009, 第 1 作者, 专利号: 200910312160.9
（ 6 ） 一种III-V族半导体MOS界面结构, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110138043.2
（ 7 ） InP基MOSHEMT结构及其制备方法, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106711211
（ 8 ） 一种双栅InGaAs PMOS场效应晶体管, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106298947
发表论文
（1） Modification of Al2O3/InP interfaces using sulfur and nitrogen passivations, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017, 通讯作者
（2） High Performance InGaAs MOSFETs with an InGaP Interface Control Layer and ALD-Al2O3 Gate Oxide for RF Switch Applications, Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS MANTECH 2017), 2017, 通讯作者
（3） Positive Bias 温度 Instability Degradation of Buried InGaAs Channel nMOSFETs with InGaP Barrier Layer and Al2O3 Dielectric, Chinese Physics Letters, 2017, 通讯作者
（4） Kinetic Study of GeO Disproportionation into GeO2/Ge System Using X-ray Photoelectron Spectroscopy, Applied Physics Letters, 2012, 通讯作者
（5） Extrinsic Base surface Passivation in Terahertz GaAsSb/InP DHBTs Using InGaAsP Ledge Structures, IEEE Transaction on Electron Devices, 2011, 第 1 作者
（6） Extrinsic Base Surface Passivation in High Speed Type-II GaAsSb/InP DHBTs Using an InGaAsP Ledge Structure, Chinese Physics Letters, 2010, 第 1 作者
（7） Emitter Size Effects and Ultimate Scalability of InP: GaInP/GaAsSb/InP DHBTs, IEEE Electron Device Letters, 2008, 第 1 作者
（8） High-current-gain InP/GaInP/GaAsSb/InP DHBTs with fT = 436 GHz, IEEE Electron Device Letters, 2007, 第 1 作者
（9） Extraction of the Average Collector Velocity in High Speed “Type-II” InP-GaAsSb-InP DHBTs, IEEE Electron Device Letters, 2004, 第 1 作者
发表著作
（1） Passivation and Characterization in High-k/III-V Interfaces, Springer Publisher, New York, USA, 2017-02, 第 2 作者
参与会议
（1）Growth of Epitaxial 铍 Oxide on Ge (111) by Molecular Beam EpitaxyGrowth of Epitaxial Beryllium Oxide on Ge (111) by Molecular Beam Epitaxy S. K. Wang, HG Liu 2012-09-25
（2）A Multi-band THz Regime Metameterial 设计 Using a Paired Metallic Circular-strip Structure Xudong Cui, Honggang Liu 2010-05-09
（3）600 GHz InP-GaAsSb DHBTs grown by MOCVD with a GaAsSb graded-base and fTXBVCEO higher than 2.5 THz-V at room 温度 HG Liu 2007-12-21
（4）The InP/GaAsSb type II heterostructure system and its application to high-speed DHBTs and photodetectors: physics, surprises, and opportunities HG Liu 2005-12-22
参考资料 >
刘洪刚 - CIS.CIS.2021-11-15
刘洪刚-中国科学院大学-UCAS.中国科学院大学.2021-11-15